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產(chǎn)品描述：

本霍爾離子源用于真空鍍膜過(guò)程中基底離子轟擊清潔及沉積過(guò)程中離子轟擊能量輸送。

　　廣泛應(yīng)用于：增透膜、眼鏡鍍膜、光纖光學(xué)、高反鏡、熱/冷反光鏡、低漂移濾波器、帶通濾波器、在線清洗、類金剛石沉積等。

　　能夠改善薄膜的生長(zhǎng)、優(yōu)化薄膜結(jié)構(gòu)，增加鍍膜的一致性和重復(fù)性，低溫高速率鍍膜，清除工件表面水和碳?xì)浠衔?，增加薄膜密度，降低?nèi)應(yīng)力低，清除結(jié)合力弱的分子，反應(yīng)氣體活度增加，薄膜成分易于控制。

　　主要特點(diǎn)：

　　1.離子源燈絲采用交流供電，電流均衡，功率密度大。

　　2.設(shè)有軟啟動(dòng)功能，防止沖擊源頭，延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。

　　3.設(shè)有短路和過(guò)流保護(hù)，工作安全可靠。不怕人為誤操作或源頭原因造成的長(zhǎng)時(shí)間短路問(wèn)題。

　　4.可以增加特色功能，如外控，閥控，定時(shí)等。

　　5.電源功率充足，燈絲電壓/電流可達(dá)40V/50A，陽(yáng)極電壓/電流可達(dá)220V，25A。長(zhǎng)期工作。

　　霍爾等離子體離子源，能適合輔助鍍膜工藝要求，其突出的特點(diǎn)是小型化，結(jié)構(gòu)緊湊、易于拆裝。在制造高質(zhì)量的光學(xué)薄膜時(shí)，它對(duì)改進(jìn)膜的附著力、致密度、吸收度、折射率有所貢獻(xiàn)。

　　JYK-HZ2型霍爾離子源陽(yáng)極直徑φ6.2cm，采用永久磁鐵并利用極靴，沿軸向產(chǎn)生較大梯度的磁場(chǎng)，在環(huán)狀的霍爾電流作用下，離子沿軸向加速拔出形成離子束。離子束具有較大的能散度及較大的發(fā)散角，水冷陽(yáng)極可有效降低離子源及工件表面的溫度。

　　該離子源電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜所需要的大均勻區(qū)的離子束流。單臺(tái)源就可以滿足600mm-1600mm鍍膜機(jī)的離子束輔助鍍膜需要。

　　結(jié)構(gòu)先進(jìn)：

　　充分借鑒國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的霍爾離子源的優(yōu)點(diǎn)，具有獨(dú)特的水冷和密封結(jié)構(gòu)，經(jīng)多次長(zhǎng)時(shí)間的實(shí)驗(yàn)證明，離子源能夠在很大的等離子體束流下長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。

　　可在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期可靠工作：

　　在通常鍍膜工藝中，工件需加熱至很高溫度，整個(gè)真空室內(nèi)溫度很高，而本離子源良好的冷卻系統(tǒng)能保證離子源在 300℃的高溫環(huán)境下長(zhǎng)期正常工作。

　　等離子體束流大：

　　為避免基片損傷，需要采用低能量大束流的等離子體進(jìn)行輔助鍍膜。以往國(guó)內(nèi)采用的多因束流小(<1.5A)而很難達(dá)到理想的效果。本公司在大功率霍耳等離子體源的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)上取得突破性的進(jìn)展，制造出大束流下(>4A)長(zhǎng)期穩(wěn)定工作的等離子體源。

　　空間均勻性強(qiáng):

　　由于獨(dú)特的磁路和放電區(qū)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，在以離子源軸線為中心 30度的圓錐內(nèi)等離子態(tài)的強(qiáng)度均勻性可保持在 ± 20%以內(nèi)。

　　完全適用于反應(yīng)氣體：

　　在離子束輔助反應(yīng)沉積鍍膜過(guò)程中，通常需要用氧氣或氮?dú)獾扰c蒸發(fā)的膜料進(jìn)行反應(yīng)沉積所需薄膜，在此過(guò)程中增加反應(yīng)氣體的活性和能量，對(duì)形成高質(zhì)量薄膜至關(guān)重要。 本等離子體源可以在完全通入反應(yīng)氣體將其離化的條件下不出現(xiàn)中毒現(xiàn)象而正常工作。

　　安裝簡(jiǎn)便、維護(hù)簡(jiǎn)單運(yùn)行成本低：

　　本離子源的安裝非常簡(jiǎn)單，耗材只是燈絲，日常維護(hù)工作主要是更換燈絲。

　　操作簡(jiǎn)單：

　　離子源的操作簡(jiǎn)單，通過(guò)調(diào)節(jié)離子源的放電電流以及燈絲電流即可使離子源穩(wěn)定工作?？刂泼姘迳夏苤苯佑^察到燈絲和陽(yáng)極的電壓、電流

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